Новые линии в спектрах ИК люминесценции высокого разрешения монокристаллов SiC политипов 4H и 6H

Проведено исследование низкотемпературных спектров ИК люминесценции и поглощения высокого разрешения нелегированных высококачественных монокристаллов SiC гексагональных модификаций 4H и 6H. Обнаружены узкие линии, имеющие ширины менее 0.2 cm$^{-1}$, часть из которых наблюдалась впервые. Найдено, что часть линий в модификации 4H и 6H имеют схожую структуру, однако линии в SiC-4H смещены в высокоэнергетичную часть спектра на $\sim$180 cm$^{-1}$. Для наиболее интенсивного квартета в области 1.3 $\mu$m по спектрам люминесценции и поглощения удалось построить энергетическую структуру уровней как для модификации 4H, так и для 6H.