ИК спектроскопия высокого разрешения в низкотемпературных матрицах. Структура фундаментальных полос поглощения SiH$_{4}$ в азотной и аргоновой матрицах

Проанализированы особенности ИК спектров высокого разрешения молекулы SiН$_{4}$ в низкотемпературных матрицах из N$_{2}$ и Ar при 6.6–20 K в зависимости от условий эксперимента. Установлено, что в азотной матрице в валентной области для $^{28}$SiH$_{4}$ наблюдаются три узкие полосы, а в области деформационного колебания ($\nu_{4}$) вместо одной полосы мономеров наблюдаются две, что объясняется изменением симметрии молекулы от $T_{d}$ в газе к $C_{3v}$ в твердом азоте. Еще сильнее изменяются спектры в аргоновой матрице, где помимо узких полос регистрируются также и достаточно широкие компоненты. Проведен расчет спектра SiН$_{4}$ в матрице из Ar на основе подхода QM/MM, который подтверждает реальность изменения симметрии молекулы в результате ее взаимодействия с матричным окружением.