Квантовый выход люминесценции и константы рекомбинации в коллоидных core/shell квантовых точках Ag$_{2}$S/ZnS и Ag$_{2}$S/SiO$_{2}$

Выполнен сравнительный анализ люминесцентных свойств коллоидных квантовых точек Ag$_{2}$S, покрытых тиогликолевой кислотой или 2-меркаптопропионовой кислотой c оболочками из ZnS или SiO$_{2}$. Продемонстрировано увеличение квантового выхода рекомбинационной ИК люминесценции коллоидных квантовых точек Ag$_{2}$S до 35 раз в результате формирования оболочек ZnS, SiO$_{2}$ при одновременном увеличении среднего времени жизни люминесценции. Для квантовых точек ядро/оболочка Ag$_{2}$S/ZnS, покрытых тиогликолевой кислотой, показано уменьшение излучательной и безызлучательной констант рекомбинации, которое объяснено локализацией электронов в оболочке, а дырок в ядре. Для квантовых точек ядро/оболочка Ag$_{2}$S/SiO$_{2}$ покрытых 2-меркаптопропионовой кислотой наблюдалось увеличение констант излучательной и уменьшение безызлучательной рекомбинации. В этом случае рост константы излучательной рекомбинации обусловлен локализацией электронов и дырок в ядре. Уменьшение константы безызлучательной рекомбинации объяснено пассивацией интерфейсных дефектов квантовых точек при формировании оболочки.