Поглощение мощного света свободными электронами в кристаллах: внутризонные электрон-фононные осцилляции Раби

В рамках модифицированного резонансного приближения рассчитано поглощение свободными электронами мощного лазерного излучения видимого либо ближнего ИК диапазона. Получены вероятности $W_{\operatorname{exc}}$ внутризонных переходов с изменением энергии электрона на $\hbar(\omega\pm\omega_{l})$, где $\omega$ – частота света, $\omega_{l}$ – частота продольных оптических фононов, участвующих в процессе. Показано, что могут иметь место специфические электрон-фононные осцилляции Раби с частотой $\Omega_{R}$, а поглощение света идет только до времени достижения первого максимума $\tau_{1}$ на зависимости $W_{\operatorname{exc}}(t)$, где $t$ – время, прошедшее с начала действия лазерного импульса. Показано, что в случае предпробойных интенсивностей света процессы высоких порядков по полю световой волны существенным образом влияют на $W_{\operatorname{exc}}$, $\tau_{1}$ и $\Omega_{R}$.