|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов
Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Н. В. Крыжановскаяa, А. С. Драгуноваb, С. Д. Комаровbc, А. М. Надточийb, А. Г. Гладышевa, А. В. Бабичевa, А. В. Уваровb, В. В. Андрюшкинa, Д. В. Денисовd, Е. С. Колодезныйa, И. И. Новиковa, Л. Я. Карачинскийa, А. Ю. Егоровd a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трехмерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформированного массива островков лежит в диапазоне 950–1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78–300 K свидетельствуют о существенной неоднородности массива островков, наличии центров безызлучательной рекомбинации и транспорте носителей между островками. На спектрах возбуждения люминесценции наблюдается линия, связанная с поглощением в остаточном двумерном слое InGaPAs. Применение отжига структур позволило увеличить интенсивность ФЛ при комнатной температуре до 300% при незначительном коротковолновом сдвиге линии излучения островков, а также улучшить однородность внутри массива островков.
Ключевые слова:
квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, фотолюминесценция.
Поступила в редакцию: 14.10.2020 Исправленный вариант: 14.10.2020 Принята в печать: 30.10.2020
Образец цитирования:
Н. В. Крыжановская, А. С. Драгунова, С. Д. Комаров, А. М. Надточий, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, А. В. Уваров, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы”, Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021), 218–222; Optics and Spectroscopy, 129:2 (2021), 256–260
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os195 https://www.mathnet.ru/rus/os/v129/i2/p218
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 14 |
|