Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах

Проведено экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн – детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. На лабораторном импульсном спектрометре во временной области, используя образцы фотопроводящих детектирующих антенн с топологией “галстук-бабочка”, было выполнено сравнение ТГц сигналов, шумовых характеристик и отношений сигнал/шум при разной средней мощности оптического зондирования детекторов. Для фотопроводящих антенн (photoconductive antenna, PCA) на основе сверхрешеточных гетероструктур с упругими напряжениями как сжатия, так и растяжения в слоях во всем диапазоне мощностей лазерного излучения экспериментально продемонстрирована большая полоса детектирования по сравнению со случаем сверхрешеточных гетероструктур только напряжения сжатия. Таким образом, можно утверждать, что модификация свойств сверхрешеточных гетероструктур путем введения напряжений в кристаллическую решетку является универсальным и достаточно эффективным методом повышения характеристик PCA на их основе, что позволяет использовать эти PCA для построения практических систем ТГц спектроскопии и визуализации.