Оптика и спектроскопия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Оптика и спектроскопия:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Оптика и спектроскопия, 2020, том 128, выпуск 5, страница 669 (Mi os1123)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Оптические сенсоры и преобразователи

The effect of high background and dead time of an InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode on the registration of microsecond range near-infrared luminescence

P. S. Parfenova, A. P. Litvina, D. A. Onishchuka, K. A. Goncharb, K. Berwickc, A. V. Fedorova, A. V. Baranova

a School of Photonics, ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
b Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia
c School of Electrical and Electronic Engineering, Technological University Dublin, Ireland
PDF полного текста (29 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: The effects of a high background count and a microsecond dead time interval on a gated InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode (SPAD) during microsecond luminescence decay registration are discussed. It is shown that the background count rate of the SPAD limits its use for time-resolved and steady-spectral measurements, and that a “pile-up” effect appears in the microsecond range.
Ключевые слова: near-infrared detector; photon counting; single-photon avalanche diode (SPAD), pile-up, counting loss.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-13-00200
This work was supported by the Russian Science Foundation (agreement no. 18-13-00200).
Поступила в редакцию: 27.01.2020
Исправленный вариант: 27.01.2020
Принята в печать: 06.02.2020
Англоязычная версия:
Optics and Spectroscopy, 2020, Volume 128, Issue 5, Pages 674–677
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X20050100
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: P. S. Parfenov, A. P. Litvin, D. A. Onishchuk, K. A. Gonchar, K. Berwick, A. V. Fedorov, A. V. Baranov, “The effect of high background and dead time of an InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode on the registration of microsecond range near-infrared luminescence”, Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020), 669; Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 674–677
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ParLitOni20}
\by P.~S.~Parfenov, A.~P.~Litvin, D.~A.~Onishchuk, K.~A.~Gonchar, K.~Berwick, A.~V.~Fedorov, A.~V.~Baranov
\paper The effect of high background and dead time of an InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode on the registration of microsecond range near-infrared luminescence
\jour Оптика и спектроскопия
\yr 2020
\vol 128
\issue 5
\pages 669
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/os1123}
\transl
\jour Optics and Spectroscopy
\yr 2020
\vol 128
\issue 5
\pages 674--677
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0030400X20050100}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/os1123
  • https://www.mathnet.ru/rus/os/v128/i5/p669
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Оптика и спектроскопия Оптика и спектроскопия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024