|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов
Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP
А. С. Рубан, В. В. Данилов Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I
Аннотация:
Приведены результаты обработки кинетики затухания люминесценции гибридной полупроводниковой наноструктуры InP/InAsP/InP с нанесенными коллоидными слоями квантовых точек (QD) CdSe/ZnS при возбуждении на длинах волн 532 и 633 nm и температурах 80 и 300 K. Такая наноструктура характеризуется значительным увеличением длительности и интенсивности люминесценции нановставки InAsP. Механизм увеличения длительности люминесценции предположительно связан с взаимодействием коллоида QD CdSe/ZnS-ТОРО с поверхностью InP, что ведет к образованию в запрещенной зоне новых гибридных состояний, энергетически близких к излучающему состоянию и способных захватывать электроны, что в свою очередь компенсируется возрастающей ролью процесса обратного переноса электрона, приводящего к росту длительности излучательной рекомбинации.
Ключевые слова:
гибридные полупроводниковые наноструктуры, кинетика люминесценции, обратный перенос энергии.
Поступила в редакцию: 01.04.2021 Исправленный вариант: 01.04.2021 Принята в печать: 09.04.2021
Образец цитирования:
А. С. Рубан, В. В. Данилов, “Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP”, Оптика и спектроскопия, 129:7 (2021), 948–953; Optics and Spectroscopy, 129:9 (2021), 997–1001
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os106 https://www.mathnet.ru/rus/os/v129/i7/p948
|
|