Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2017, том 8, выпуск 3, страницы 386–390
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-3-386-390
(Mi nano53)
 

PHYSICS

Indirect interaction of impurity spins on the surface of topological insulators

A. V. Tеna, M. B. Belonenkob

a Volgograd State University, Volgograd, Russia
b Volgograd Institute of Business, Volgograd, Russia
Аннотация: In this work, a mathematical model to study the indirect interaction in topological insulators was constructed. Analysis of the model was carried out numerically. We have calculated the indirect exchange interaction in the film of a topological insulator, for example Bi$_2$Te$_3$, within the s-d model. The calculations showed that the magnetic ordering of the impurity spins varies periodically with increasing distance between atoms, asymptotically decreasing to zero. $\lambda$ is a parameter associated with hexagonal distortion and is a component of the dispersion relation. The dependence of the constants of the effective exchange interaction upon the $\lambda$ parameter is shown; this parameter characterizes the crystal lattice geometry for a topological insulator.
Ключевые слова: topological insulators, impurity spin, indirect exchange, s-d model.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-00230 mol_a
16-07-01265
Министерство образования и науки Российской Федерации 2.852.2017/4.6
This work was supported by Russian Foundation for Basic Research (grants № 16-32-00230 mol_a, № 16-07-01265), mathematical and numerical modeling was carried out within the framework of government task by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (research work title № 2.852.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 23.01.2017
Исправленный вариант: 28.02.2017
Принята в печать: 26.05.2017
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 75.75 -c, 73.20 Hb, 73.22 Pr
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Tеn, M. B. Belonenko, “Indirect interaction of impurity spins on the surface of topological insulators”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:3 (2017), 386–390
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TеnBel17}
\by A.~V.~Tеn, M.~B.~Belonenko
\paper Indirect interaction of impurity spins on the surface of topological insulators
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2017
\vol 8
\issue 3
\pages 386--390
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano53}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-3-386-390}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000412772400015}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano53
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v8/i3/p386
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024