Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2019, том 10, выпуск 3, страницы 355–360
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2019-10-3-355-360
(Mi nano447)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE

Morphological and optical properties of dielectric multilayer structures prepared with distinct precursor concentrations

Venkatesh Yepuriab, R. S. Dubeyb, Brijesh Kumara

a Amity Institute of Nano Science and Technology, Amity University, Gurgaon, (Haryana), India
b Department of Nanotechnology, Swarnandhra College of Engineering and Technology, Seetharampuram, Narsapur (A.P.), India
Аннотация: For optical filters, TiO$_2$ and SiO$_2$ films are better choices due to their large refractive index contrast. In spite of the various available techniques, the sol-gel spin coating method is one of the easiest and inexpensive technique. Here, we report the experimental studies of (TiO$_2$/SiO$_2$)$_{2.5}$ bilayer-based structures prepared with two distinct precursor concentrations. FTIR analysis showed the characteristic vibration peaks of the Ti-O-Ti and Si-O-Si bonds. XRD measurements of both the samples based on the low and high-precursor concentrations, revealed the dominant peaks of TiO$_2$-anatase phase. FESEM study endorsed the increased thicknesses of the individual layers due to enhanced precursor concentrations. Both samples evidenced for the reflection/stop bands with 100% reflectivity. Furthermore, multilayer structure of (TiO$_2$/SiO$_2$)$_{2.5}$ bilayers showed the corresponding shift of the reflection band from the visible-infrared wavelength region in accordance with the low-high precursor concentration. This shifting of the reflection band is attributed to the increased thicknesses of the films which is due to the enhanced grains size as confirmed by the AFM studies.
Ключевые слова: reflectors, multilayers structures, cross-section SEM morphology, precursor concentration.
Финансовая поддержка Номер гранта
UGC-DAE CSR, Indore
We acknowledge the financial support provided by the UGC-DAE CSR, Indore (India).
Поступила в редакцию: 04.02.2019
Исправленный вариант: 18.04.2019
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Venkatesh Yepuri, R. S. Dubey, Brijesh Kumar, “Morphological and optical properties of dielectric multilayer structures prepared with distinct precursor concentrations”, Наносистемы: физика, химия, математика, 10:3 (2019), 355–360
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YepDubKum19}
\by Venkatesh~Yepuri, R.~S.~Dubey, Brijesh~Kumar
\paper Morphological and optical properties of dielectric multilayer structures prepared with distinct precursor concentrations
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2019
\vol 10
\issue 3
\pages 355--360
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano447}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2019-10-3-355-360}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000473303000012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=38503871}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano447
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v10/i3/p355
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024