Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2018, том 9, выпуск 6, страницы 789–792
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
(Mi nano371)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE

Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs

D. M. Mitina, F. Yu. Soldatenkova, A. M. Mozharovb, A. A. Vasil’evb, V. V. Neplokhb, I. S. Mukhinbc

a Ioffe Physical Technical Institute of the Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya, 26, St. Petersburg, 194021, Russia
b Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, Khlopina, 8, building 3, lit. A, St. Petersburg, 194021, Russia
c Saint Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, Kronverkskiy, 49, St. Petersburg, 197101, Russia
Аннотация: We report the results of research for the Pd/Ge/Au ohmic contact resistivity to n-GaAs thermally treated in various gas atmospheres at low temperature. The lowest contact resistivity of about $4\cdot 10^{-6}$ $\Omega\cdot$cm$^2$ was obtained with annealing under a hydrogen atmosphere. The mechanism of the ohmic contact formation upon annealing under a hydrogen atmosphere has been proposed. The achieved results can be used for development of multi-junction solar cells, power semiconductor devices, lasers, and nanowire-based structures sensible to a high temperature treatment.
Ключевые слова: GaAs, ohmic contact, contact resistivity, thermal annealing, solid-phase regrowth.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-30035
The work was supported by the Russian Science Foundation (grant No 17-79-30035).
Поступила в редакцию: 08.11.2018
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.05.Ea, 73.61.Ey, 73.40.Cg, 81.40.Ef
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. M. Mitin, F. Yu. Soldatenkov, A. M. Mozharov, A. A. Vasil'ev, V. V. Neplokh, I. S. Mukhin, “Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 789–792
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MitSolMoz18}
\by D.~M.~Mitin, F.~Yu.~Soldatenkov, A.~M.~Mozharov, A.~A.~Vasil'ev, V.~V.~Neplokh, I.~S.~Mukhin
\paper Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2018
\vol 9
\issue 6
\pages 789--792
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano371}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000455960100013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36654091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano371
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v9/i6/p789
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:104
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024