Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2015, том 6, выпуск 6, страницы 875–881
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2015-6-6-875-881
(Mi nano1004)
 

Influence of the oxidation of GaAs on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells

S. Saeid

Lobachevsky State University of Nizhni Novgorod, 23 Gagarin Avenue, Nizhny Novgorod, 603950, Russia
Аннотация: A study of oxygen atoms' interactions on a GaAs (001) structure surface shows that these atoms are getting adsorbed onto the surface, form an oxide layer, and over time its thickness increases. This oxide layer hinders the injection of electrons and the holes from the metal layer to the semiconductor, thus affecting the photoelectroluminescence and the work of Metal-oxide-semiconductor diodes. These studies also examine the growth rate of oxide layers on the surface of the structure with different deposition degrees (400$^\circ$C, 630$^\circ$C) of cover layers and the extent of the oxygen atoms' penetration into the structure.
Ключевые слова: tunnel effect, spin injector, metal-oxide-semiconductor diodes, oxides of GaAs, storage time, diffusion penetration.
Поступила в редакцию: 13.10.2015
Исправленный вариант: 20.10.2015
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 72.25.-b, 72.25.Ba, 72.25.Hg, 75.47.-m
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. Saeid, “Influence of the oxidation of GaAs on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells”, Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015), 875–881
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sae15}
\by S.~Saeid
\paper Influence of the oxidation of GaAs on the work of light-emitting spintronic diodes with InGaAs/GaAs quantum wells
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2015
\vol 6
\issue 6
\pages 875--881
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano1004}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2015-6-6-875-881}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000219897500018}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25064814}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano1004
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v6/i6/p875
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024