|
Математическое моделирование, 2000, том 12, номер 3, страницы 61–74
(Mi mm850)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Математические модели и вычислительный эксперимент
Вычисление индуктивностей многослойных сверхпроводниковых структур конечной толщины
М. М. Хапаев (мл.) Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, факультет вычислительной математики и кибернетики
Аннотация:
Рассматривается проблема математического моделирования распределения тока и вычисления матрицы индуктивностей многослойных планарных микроэлектронных сверхпроводниковых структур. Приведена постановка задачи, основанная на лондоновской модели тока сверхпроводимости, предположении о малости толщины структуры по сравнению с ее линейными размерами и трехмерной структуре магнитного поля. Задача сведена к интегральным уравнениям, учитывающим конечную толщину слоев проводника. Предложен вычислительный метод, основанный на вычислительной схеме метода конечных элементов и треугольных сетках. Описана программа и приведены результаты расчетов. Математическая модель, вычислительный метод и программа обладают достаточной точностью и экономичностью и пригодны для расчетов параметров сверхпроводниковых
микроэлектронных структур и SQUIDов. Программа позволяет рассчитывать существенно
трехмерные структуры, для которых применение других программ невозможно или
встречает серьезные проблемы.
Поступила в редакцию: 19.04.1999
Образец цитирования:
М. М. Хапаев (мл.), “Вычисление индуктивностей многослойных сверхпроводниковых структур конечной толщины”, Матем. моделирование, 12:3 (2000), 61–74
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm850 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v12/i3/p61
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 464 | PDF полного текста: | 171 | Первая страница: | 1 |
|