Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в тонкопленочных проводниках

Процессы переноса вакансий, возникновения и развития механических напряжений и зарождения пор в тонких поликристаллических металлических пленках под действием электрического тока составляют основу механизма, приводящего к отказу проводящих линий интегральных микросхем. В данной работе приведено краткое изложение общих физических моделей электромиграции вакансий, генерации механических напряжений и порообразования; сформулированы основные соотношения данных моделей. На их основе проведено моделирование порообразования в тройной точке поликристаллической структуры линии и разрушения двухуровневой металлизации в области межуровневого контактного соединения. Для обоих случаев численно рассчитаны характерные размеры пор и времена до их зарождения.