Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Математическое моделирование, 2002, том 14, номер 4, страницы 95–108 (Mi mm608)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в тонкопленочных проводниках

А. С. Владимировa, Р. В. Гольдштейнb, Ю. В. Житниковa, М. Е. Сарычевa, Д. Б. Ширабайкинa

a Физико-технологический институт РАН
b Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН
Список литературы:
Аннотация: Процессы переноса вакансий, возникновения и развития механических напряжений и зарождения пор в тонких поликристаллических металлических пленках под действием электрического тока составляют основу механизма, приводящего к отказу проводящих линий интегральных микросхем. В данной работе приведено краткое изложение общих физических моделей электромиграции вакансий, генерации механических напряжений и порообразования; сформулированы основные соотношения данных моделей. На их основе проведено моделирование порообразования в тройной точке поликристаллической структуры линии и разрушения двухуровневой металлизации в области межуровневого контактного соединения. Для обоих случаев численно рассчитаны характерные размеры пор и времена до их зарождения.
Поступила в редакцию: 07.07.2000
Реферативные базы данных:
Образец цитирования: А. С. Владимиров, Р. В. Гольдштейн, Ю. В. Житников, М. Е. Сарычев, Д. Б. Ширабайкин, “Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в тонкопленочных проводниках”, Матем. моделирование, 14:4 (2002), 95–108
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VlaGolZhi02}
\by А.~С.~Владимиров, Р.~В.~Гольдштейн, Ю.~В.~Житников, М.~Е.~Сарычев, Д.~Б.~Ширабайкин
\paper Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в~тонкопленочных проводниках
\jour Матем. моделирование
\yr 2002
\vol 14
\issue 4
\pages 95--108
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm608}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:1019.82502}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm608
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v14/i4/p95
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Математическое моделирование
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:635
    PDF полного текста:319
    Список литературы:98
    Первая страница:2
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024