|
Математическое моделирование, 2002, том 14, номер 4, страницы 95–108
(Mi mm608)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в тонкопленочных проводниках
А. С. Владимировa, Р. В. Гольдштейнb, Ю. В. Житниковa, М. Е. Сарычевa, Д. Б. Ширабайкинa a Физико-технологический институт РАН
b Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН
Аннотация:
Процессы переноса вакансий, возникновения и развития механических напряжений и зарождения пор в тонких поликристаллических металлических пленках под действием электрического тока составляют основу механизма, приводящего к отказу проводящих линий интегральных микросхем. В данной работе приведено краткое изложение общих физических моделей электромиграции вакансий, генерации механических напряжений и порообразования; сформулированы основные соотношения данных моделей. На их основе проведено моделирование порообразования в тройной точке поликристаллической структуры линии и разрушения двухуровневой металлизации в области межуровневого контактного соединения. Для обоих случаев численно рассчитаны характерные размеры пор и времена до их зарождения.
Поступила в редакцию: 07.07.2000
Образец цитирования:
А. С. Владимиров, Р. В. Гольдштейн, Ю. В. Житников, М. Е. Сарычев, Д. Б. Ширабайкин, “Моделирование процессов электромиграции и зарождения пор в тонкопленочных проводниках”, Матем. моделирование, 14:4 (2002), 95–108
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm608 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v14/i4/p95
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 635 | PDF полного текста: | 319 | Список литературы: | 98 | Первая страница: | 2 |
|