Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Математическое моделирование, 2019, том 31, номер 1, страницы 27–43
DOI: https://doi.org/10.1134/S0234087919010027 (Mi mm4033) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Моделирование квантового двойного электрического слоя

С. А. Некрасов, Д. Н. Черноиван

Южно-Российский государственный политехнический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск, Ростовская обл.
PDF полного текста (886 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0234087919010027
Аннотация: Исследуются вопросы расчета как стационарного, так и динамического диффузного двойного электрического слоя с учетом квантового фактора. Моделирование самосогласованного поля квантовомеханического двойного электрического слоя осуществляется на основе уравнения Шредингера и его модификации в форме Маделунга. Приближенное решение уравнений квантовой механики и электрического поля осуществляется методом конечных разностей. Рассмотрен пример моделирования диффузного двойного электрического слоя для плазмы газа и криогенного раствора квантовых частиц. Исследовано влияние форм-фактора начального распределения плотности плазмы, температуры, микроскопических сил трения и параметров вычислительного метода.
Ключевые слова: двойной электрический слой, квантовая механика, уравнение Шредингера, потенциал Бома, математическое моделирование.
Поступила в редакцию: 28.08.2017
Исправленный вариант: 14.02.2018
Принята в печать: 12.03.2018
Англоязычная версия:
Mathematical Models and Computer Simulations, 2019, Volume 11, Issue 5, Pages 667–678
DOI: https://doi.org/10.1134/S2070048219050132
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Некрасов, Д. Н. Черноиван, “Моделирование квантового двойного электрического слоя”, Матем. моделирование, 31:1 (2019), 27–43; Math. Models Comput. Simul., 11:5 (2019), 667–678
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NekChe19}
\by С.~А.~Некрасов, Д.~Н.~Черноиван
\paper Моделирование квантового двойного электрического слоя
\jour Матем. моделирование
\yr 2019
\vol 31
\issue 1
\pages 27--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm4033}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0234087919010027}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37174949}
\transl
\jour Math. Models Comput. Simul.
\yr 2019
\vol 11
\issue 5
\pages 667--678
\crossref{https://doi.org/10.1134/S2070048219050132}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm4033
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v31/i1/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Математическое моделирование
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:338
    PDF полного текста:128
    Список литературы:41
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024