Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Математическое моделирование, 2014, том 26, номер 8, страницы 126–148 (Mi mm3511)  
Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET

А. М. Блохинab, Б. В. Семисаловc

a Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН, Новосибирск
b Новосибирский государственный университет, Новосибирск
c Конструкторско-технологический институт вычислительной техники СО РАН, Новосибирск
PDF полного текста (658 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для поиска стационарных решений задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET. Для математического описания процесса переноса заряда используется гидродинамическая MEP модель. Вследствие нелинейности уравнений данной модели, наличия в ней малых параметров и специфических условий на границах области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений возникают существенные сложности. Целью настоящей работы являются построение и реализация эффективного вычислительного алгоритма, основанного на методе установления, применении сглаживающих регуляризующих операторов и идей схем без насыщения, предназначенного для преодоления указанных сложностей.
Ключевые слова: гидродинамическая модель, транзистор DG-MOSFET, стационарное решение, метод установления, нестационарная регуляризация, алгоритмы без насыщения, интерполяционный полином, сплайн-функция, матричная прогонка.
Поступила в редакцию: 12.03.2013
Тип публикации: Статья
УДК: 519.615.5+621.382.33
Образец цитирования: А. М. Блохин, Б. В. Семисалов, “Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET”, Матем. моделирование, 26:8 (2014), 126–148
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloSem14}
\by А.~М.~Блохин, Б.~В.~Семисалов
\paper Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET
\jour Матем. моделирование
\yr 2014
\vol 26
\issue 8
\pages 126--148
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm3511}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm3511
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v26/i8/p126
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Математическое моделирование
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:347
    PDF полного текста:134
    Список литературы:78
    Первая страница:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024