Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Математическое моделирование, 2010, том 22, номер 9, страницы 79–94 (Mi mm3019)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния

А. М. Блохинab, А. С. Ибрагимоваb

a Институт математики им. Соболева СО РАН
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (658 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Рассматривается проблема нахождения электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора, занимающего область $\Omega$, с присоединенным к нему наноканалом из оксида кремния (область $\Omega_G$). С помощью вычислительных экспериментов обосновывается метод сведения исходной задачи определения потенциала в области $\Omega\cup\Omega_G$ к задаче для нахождения потенциала только в области $\Omega$.
Ключевые слова: гидродинамическая модель, уравнение Пуассона, 2D кремниевый транзистор с наноканалом из оксида кремния, параболическая регуляризация, продольно-поперечная прогонка.
Поступила в редакцию: 16.12.2009
Англоязычная версия:
Mathematical Models and Computer Simulations, 2011, Volume 3, Issue 2, Pages 245–256
DOI: https://doi.org/10.1134/S2070048211020025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 519.615.5+621.382.2
Образец цитирования: А. М. Блохин, А. С. Ибрагимова, “К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния”, Матем. моделирование, 22:9 (2010), 79–94; Math. Models Comput. Simul., 3:2 (2011), 245–256
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloIbr10}
\by А.~М.~Блохин, А.~С.~Ибрагимова
\paper К вопросу о~вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с~наноканалом из оксида кремния
\jour Матем. моделирование
\yr 2010
\vol 22
\issue 9
\pages 79--94
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm3019}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=2767923}
\transl
\jour Math. Models Comput. Simul.
\yr 2011
\vol 3
\issue 2
\pages 245--256
\crossref{https://doi.org/10.1134/S2070048211020025}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84929079730}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm3019
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v22/i9/p79
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Математическое моделирование
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:366
    PDF полного текста:124
    Список литературы:37
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024