|
Математическое моделирование, 2004, том 16, номер 6, страницы 28–30
(Mi mm266)
|
|
|
|
XII Международная конференция по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС'2003)
Численное моделирование процессов выращивания $\alpha$-Si:H пленок в PECVD реакторах
Ю. Е. Горбачев, М. А. Затевахин, А. А. Игнатьев Институт высокопроизводительных вычислений и информационных систем
Аннотация:
В настоящей работе приведено описание программного пакета для моделирования роста пленок аморфного гидрированного кремния ($\alpha$-Si:H) из силано-содержащих (SiH$_4$) смесей в PECVD реакторах. Пакет включает в себя вычислительные модули, пользовательские интерфейсы и средства визуализации и ориентирован на работу на Linux-кластерах. Физико-математическая модель процессов в реакторе и методы решения задачи в одно- и двумерной постановке изложены в [1–3].
Образец цитирования:
Ю. Е. Горбачев, М. А. Затевахин, А. А. Игнатьев, “Численное моделирование процессов выращивания $\alpha$-Si:H пленок в PECVD реакторах”, Матем. моделирование, 16:6 (2004), 28–30
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm266 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v16/i6/p28
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 400 | PDF полного текста: | 163 | Список литературы: | 47 | Первая страница: | 1 |
|