|
Математическое моделирование, 1989, том 1, номер 12, страницы 1–12
(Mi mm2658)
|
|
|
|
Вычислительный эксперимент в науке и технике
Математическое моделирование фотоэлектрических процессов в полупроводниковых элементах при высоких уровнях фотовозбуждения
Н. А. Кудряшов, С. С. Кучеренко, Ю. И. Сыцько
Аннотация:
На основе метода прямых разработана методика численного решения нестационарных задач теории полупроводниковых приборов. Для решения задачи Коши, возникающей в результате конечноразностной аппроксимации дифференциальных операторов по пространственным переменным, использованы жесткоустойчивые методы Гира. На примере расчета фотоэлектрических процессов в полупроводниковом диоде при высоких уровнях фотовозбуждения показана эффективность предложенного алгоритма.
Поступила в редакцию: 03.05.1989
Образец цитирования:
Н. А. Кудряшов, С. С. Кучеренко, Ю. И. Сыцько, “Математическое моделирование фотоэлектрических процессов в полупроводниковых элементах при высоких уровнях фотовозбуждения”, Матем. моделирование, 1:12 (1989), 1–12
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm2658 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v1/i12/p1
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 481 | PDF полного текста: | 276 | Список литературы: | 1 | Первая страница: | 1 |
|