Моделирование полупроводниковых микроструктур с учетом ударной ионизации в сильных электрических полях

Предложена модификация модели электронной температуры для расчета полупроводниковых микроструктур с учетом влияния ударной ионизации в сильных электрических полях, в которой скорость ионизации – функция температуры носителей, а не напряженности электрического поля, как это обычно принято. Для решения уравнений МЭТ использован метод расщепления по физическим факторам. Описана последовательность решения уравнений подмоделей, полученных при расщеплении МЭТ. Приведены результаты расчетов, подтверждающие особенности токопереноса в “коротких” полупроводниковых структурах. Ил. 4. Библиогр. 10 назв.