|
Математическое моделирование, 1989, том 1, номер 3, страницы 61–74
(Mi mm2529)
|
|
|
|
Вычислительный эксперимент в науке и технике
Сильно неравновесные электронные явления в субмикронных Si-MOП транзисторах
О. И. Казьмин, Н. А. Баннов
Аннотация:
Методом математического моделирования на ЭВМ исследованы особенности сильно неравновесного
электронного транспорта в субмикронных кремниевых $n$-канальных МОП транзисторах. Создана комбинированная модель таких транзисторов, использующая кинетические уравнения для описания электронов различных долин зоны проводимости кремния, уравнение непрерывности для дырок и уравнение Пуассона для самосогласованного электрического потенциала. Уравнения переноса решались методами макрочастиц, а уравнение Пуассона – маршевым методом с использованием аппарата матрицы емкости.
Поступила в редакцию: 21.11.1988
Образец цитирования:
О. И. Казьмин, Н. А. Баннов, “Сильно неравновесные электронные явления в субмикронных Si-MOП транзисторах”, Матем. моделирование, 1:3 (1989), 61–74
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm2529 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v1/i3/p61
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 307 | PDF полного текста: | 192 | Список литературы: | 1 | Первая страница: | 1 |
|