|
Математическое моделирование, 2008, том 20, номер 6, страницы 79–85
(Mi mm2441)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках
В. С. Кортов, С. В. Звонарев Уральский государственный технический университет
Аннотация:
На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках. Модель апробирована при расчетах конкретных физических процессов, протекающих в заряженных при электронной бомбардировке тонких слоях SiO2. Получено хорошее соответствие результатов расчета экспериментальным данным и физическим представлениям, свидетельствующее об адекватности предложенной модели.
Поступила в редакцию: 19.07.2007
Образец цитирования:
В. С. Кортов, С. В. Звонарев, “Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках”, Матем. моделирование, 20:6 (2008), 79–85; Math. Models Comput. Simul., 1:3 (2009), 412–417
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm2441 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v20/i6/p79
|
|