|
Математическое моделирование, 1990, том 2, номер 3, страницы 23–30
(Mi mm2338)
|
|
|
|
Вычислительный эксперимент в науке и технике
Численное исследование процесса переноса заряда в полупроводниковых фотопреобразователях
М. С. Епифанов, А. В. Шипилинa, В. Н. Шленский a Вычислительный центр АН СССР
Аннотация:
Проведен численный анализ одномерного стационарного распределения заряда и электрического поля в кремниевой $n^+-p-p^+$ структуре, облучаемой светом. Для различных режимов светового возбуждения построены вольтамперные характеристики (ВАХ) и показано различное поведение распределения зарядов и поля. Обнаружена нелинейная зависимость возрастания снимаемой мощности с фотопреобразователя в зависимости от скорости световой генерации носителей заряда. Определен оптимальный режим светового возбуждения.
Поступила в редакцию: 27.09.1989
Образец цитирования:
М. С. Епифанов, А. В. Шипилин, В. Н. Шленский, “Численное исследование процесса переноса заряда в полупроводниковых фотопреобразователях”, Матем. моделирование, 2:3 (1990), 23–30
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm2338 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v2/i3/p23
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 290 | PDF полного текста: | 132 | Список литературы: | 1 | Первая страница: | 1 |
|