|
Математическое моделирование, 1990, том 2, номер 1, страницы 40–48
(Mi mm2314)
|
|
|
|
Вычислительный эксперимент в науке и технике
Линейные центрально-разностные схемы с искусственной диффузией для уравнений двумерной квазигидродинамической модели полевых транзисторов с затвором Шоттки
Г. З. Гарбер
Аннотация:
Рассмотрены схема с пятиточечным шаблоном и локально-одномерная схема. С целью получения неотрицательных расчетных значений концентрации электронов ввведена искусственная диффузия. Показано, что при существенном изменении коэффициента искусственной диффузии результаты моделирования транзистора почти не меняются.
Поступила в редакцию: 28.07.1989
Образец цитирования:
Г. З. Гарбер, “Линейные центрально-разностные схемы с искусственной диффузией для уравнений двумерной квазигидродинамической модели полевых транзисторов с затвором Шоттки”, Матем. моделирование, 2:1 (1990), 40–48
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm2314 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v2/i1/p40
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 403 | PDF полного текста: | 166 | Список литературы: | 1 | Первая страница: | 1 |
|