Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Математическое моделирование, 1991, том 3, номер 12, страницы 78–85 (Mi mm2306)  

Вычислительные методы и алгоритмы

Асимптотика решения уравнения Пуассона для полупроводниковой структуры во внешнем поле

Л. В. Калачёв, И. А. Обухов
Аннотация: Методом пограничных функций построено асимптотическое приближение по малому параметру для решения уравнения Пуассона, описывающего распределение электростатического потенциала в двумерной области (с гладкой границей), моделирующей полупроводниковую структуру во внешнем электрическом поле.
Поступила в редакцию: 06.05.1991
Реферативные базы данных:
Образец цитирования: Л. В. Калачёв, И. А. Обухов, “Асимптотика решения уравнения Пуассона для полупроводниковой структуры во внешнем поле”, Матем. моделирование, 3:12 (1991), 78–85
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalObu91}
\by Л.~В.~Калачёв, И.~А.~Обухов
\paper Асимптотика решения уравнения Пуассона для полупроводниковой структуры во внешнем поле
\jour Матем. моделирование
\yr 1991
\vol 3
\issue 12
\pages 78--85
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm2306}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=1164828}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm2306
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v3/i12/p78
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Математическое моделирование
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024