Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос горячих электронов в $n$-GaAs

Проведено исследование влияния парных столкновений электронов на зависимость дрейфовой скорости, энергии электронов и заселенности долин от внешнего однородного электрического поля в $n$-GaAs (ГLХ-модель). В рамках рассматриваемого приближения установлено немонотонное по концентрации электронов влияние электрон-электронного рассеяния на дрейфовую скорость электронов.