Математическое моделирование абсорбционной оптической бистабильности на основе полупроводника в условиях двумерной диффузии тепла

Рассматривается взаимодействие светового импульса с оптически бистабильным полупроводником в случае развитой двумерной диффузии тепла. Для численного решения исследуемой задачи построены и обоснованы линейная и нелинейная локально-одномерные схемы. В численных экспериментах изучено влияние диффузии тепла на: режимы переключения системы пучок – полупроводник, пространственную локализацию переключения температуры, формирование трубчатости профиля интенсивности первоначально гауссова пучка и быстродействие системы. Определена область существования переключения в пространстве физических параметров задачи. Показано, что зависимость коэффициента теплопроводности от температуры может принципиально изменить пространственный профиль температуры и времена переключения.