Оптическая бистабильность на основе полупроводников в условиях конечного времени термализации поглощенной световой энергии. II. Численное моделирование пространственных волн переключения

Рассмотрено взаимодействие оптического излучения с нелинейно поглощающим полупроводниковым кристаллом в условиях бистабильного его отклика с учетом процессов фотогенерации, рекомбинации и биполярной диффузии свободных носителей заряда, а также теплопроводности. В приближениях оптически толстого и тонкого слоя исследовано влияние соответственно продольной и поперечной (в том числе нелинейной) диффузии заряда и тепла на пространственную структуру и динамику волн переключения.