Оптическая бистабильность на основе полупроводников в условиях конечного времени термализации поглощенной световой энергии. I. Численные методы. Условия существования бистабильности

Рассмотрено взаимодействие оптического излучения с нелинейно поглощающим полупроводником с учетом процессов фото- и термогенерации, рекомбинации и биполярной диффузии свободных носителей заряда, а также теплопроводности. Разработаны и обоснованы численные методы решения задачи в пространственно одномерных приближениях. В рамках точечной модели определены условия реализации абсорбционной бистабильности и устойчивости стационарных состояний в случае отсутствия и при наличии температурных зависимостей времени релаксации заряда и концентрации равновесных носителей.