Определение нестационарного распределения радиационных точечных дефектов в кристалле при их аннигиляции на атомах примеси

Используя приближение теории скоростей квазихимических реакций для расчета концентраций вакансий $(\nu)$ и междоузельных атомов $(i)$ в кристалле, рассмотрено влияние последовательности аннигиляции $i$ и $\nu$ на атомах примеси на нестационарное распределение точечных дефектов. Произведен расчет систем жестких нелинейных дифференциальных уравнений, описывающих концентрации точечных дефектов при облучении. Проведено сравнение расчетных профилей концентраций $i$ и $\nu$ с экспериментальными данными по облучению кристаллов кремния с примесью углерода, кислорода, бора и фосфора.