Численное моделирование миграции атомов Ga в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

В статье приведены результаты вычислительных экспериментов со стохастической моделью роста кристаллов GaAs в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. В этих экспериментах методом Монте-Карло моделировался рост GaAs на грани (001) и вицинальных гранях при различных плотностях молекулярных потоков и температурах подложки. В процессе роста определялись количественные характеристики миграции атомов Ga: длина свободного пробега, время миграции, коэффициент диффузии; а также характеристики кристалла: поверхностная концентрация As, шероховатость поверхности, концентрация объемных вакансий. Результаты моделирования показывают зависимость миграции от условий роста и влияние миграции на качество кристалла.