|
Математическое моделирование, 2005, том 17, номер 2, страницы 109–118
(Mi mm160)
|
|
|
|
Математическая модель термоэлектрогидродинамической конвекции в полупроводниках с учетом столкновительных процессов
Р. А. Браже, О. Н. Куделин Ульяновский государственный технический университет
Аннотация:
Из кинетического уравнения Больцмана и уравнений Максвелла получены выражения, описывающие перенос свободных носителей заряда в полупроводниках в гидродинамическом приближении. Построена математическая модель термоэлектрогидродинамической конвекции в монополярных полупроводниках при наличии столкновений носителей заряда с кристаллической решеткой и примесями. Исследованы зависимости конвективной неустойчивости и критического числа Рэлея от времени релаксации импульса.
Поступила в редакцию: 12.11.2003
Образец цитирования:
Р. А. Браже, О. Н. Куделин, “Математическая модель термоэлектрогидродинамической конвекции в полупроводниках с учетом столкновительных процессов”, Матем. моделирование, 17:2 (2005), 109–118
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm160 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v17/i2/p109
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 296 | PDF полного текста: | 145 | Первая страница: | 1 |
|