|
Математическое моделирование, 1998, том 10, номер 7, страницы 21–24
(Mi mm1299)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Математические модели и вычислительный эксперимент
Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии
Т. А. Холомина Рязанская государственная радиотехническая академия
Аннотация:
Получены уравнения регрессии, отражающие влияние режима имплантации на величины подвижного заряда, относительной диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии.
Поступила в редакцию: 22.01.1998
Образец цитирования:
Т. А. Холомина, “Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии”, Матем. моделирование, 10:7 (1998), 21–24
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm1299 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v10/i7/p21
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 176 | PDF полного текста: | 81 | Первая страница: | 1 |
|