Моделирование процессов образования и миграции пор в межсоединениях электрических схем

Рассмотрены проблемы моделирования образования и миграции пор в межсоединениях электрических схем. Предложена математическая модель процессов, основанная на дрейфо-диффузионном приближении. Для анализа модели в случае плоской прямоугольной геометрии межсоединения построены монотонные консервативные конечно-разностные схемы, разработаны алгоритмы их численной реализации для персонального компьютера и многопроцессорных вычислительных систем. Апробация разработанного подхода проведена на модельной задаче. В численных экспериментах показано, что модель качественно и количественно описывает основные физические процессы и может быть использована на этапе разработки новых микросхем.