Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr

Приведены данные о чувствительности гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr к длинноволновому и ультрафиолетовому ($\lambda$ = 254 nm) излучениям. Образцы получены высокочастотным магнетронным напылением пленки оксида галлия на не нагретые подложки GaAs:Cr. Пластины арсенида галлия с пленкой Ga$_2$O$_3$ делили на две части: одну половину не подвергали отжигу, а вторую отжигали в аргоне при 500$^\circ$C в течение 30 min. Независимо от наличия или отсутствия темообработки исследованные структуры проявляли фотовольтаический эффект и способны работать в автономном режиме. Показано, что заметная чувствительность к длинноволновому излучению появляется в образцах только после термического отжига пленок оксида галлия. Времена отклика и восстановления таких детекторов УФ излучения не превышают 1 s.