|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физическая электроника
Моделирование распыления поликристаллического бериллия атомами H, D, T
П. Ю. Бабенко, В. С. Михайлов, А. П. Шергин, А. Н. Зиновьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Представлены результаты моделирования коэффициентов распыления поликристаллического бериллия изотопами водорода в диапазоне энергий соударения 8 eV–100 keV и их зависимостей от угла падения пучка на поверхность, необходимые для оценки распыления первой стенки из бериллия в токамаке ИТЭР. Показано сильное влияние формы поверхности на получаемые результаты. Рассмотрены предельные случаи плоского потенциального барьера (гладкая поверхность) и сферического потенциального барьера (поверхность, состоящая из острий). Установлено влияние каскадов соударений на коэффициент распыления. Получены зависимости средней глубины образования распыленной частицы от энергии бомбардирующих частиц при различных углах падения пучка на мишень. Рассчитаны энергетические спектры и угловые зависимости вылета распыленных частиц для различных энергий атомов бомбардирующего пучка. Показано, что наличие потенциальной ямы в системе налетающая частица – поверхность меняет характер зависимости коэффициента распыления от угла падения при малых углах скольжения.
Ключевые слова:
коэффициенты распыления, энергетические и угловые распределения распыленных частиц, потенциал межатомного взаимодействия, изотопы водорода, бериллий.
Поступила в редакцию: 25.01.2023 Исправленный вариант: 22.02.2023 Принята в печать: 04.03.2023
Образец цитирования:
П. Ю. Бабенко, В. С. Михайлов, А. П. Шергин, А. Н. Зиновьев, “Моделирование распыления поликристаллического бериллия атомами H, D, T”, ЖТФ, 93:5 (2023), 709–717
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6999 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i5/p709
|
|