|
Твердотельная электроника
Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
И. П. Никитина, Е. В. Калинина, В. В. Забродский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Впервые предложен механизм преобразования структуры в Cr/4$H$-SiC ультрафиолетовых фотодетекторах, отвечающий за циклическое геттерирование радиационных дефектов, при многократном протонном облучении.
Ключевые слова:
вакансии, кластеры, геттерирование.
Поступила в редакцию: 30.11.2022 Исправленный вариант: 17.01.2023 Принята в печать: 01.02.2023
Образец цитирования:
И. П. Никитина, Е. В. Калинина, В. В. Забродский, “Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV”, ЖТФ, 93:4 (2023), 562–567
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6981 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v93/i4/p562
|
|