Исследование электрического сопротивления пленок галлия на реконструированной поверхности Si(111)

Представлены результаты исследования кристаллической структуры и электрического сопротивления подложек кремния Si(111) после осаждения галлия на предварительно сформированные поверхностные реконструкции в системах Ga/Si(111), Tl/Si(111), Au/Si(111). Для исследования изменений структуры кристаллической решетки поверхности использован метод дифракции медленных электронов, а для измерения электрического сопротивления подложек в условиях in situ – четырехзондовый метод. Рассмотрено влияние концентрации адсорбированных атомов галлия на структурные и электрические свойства пленок. Показана роль поверхностных реконструкций в качестве буферного слоя для последующего роста сверхтонких пленок.