Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 7, страницы 1079–1086
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.07.58343.169-24 (Mi jtf6809) 		 
XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Физика низкоразмерных структур

Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlO$_x$/Nb

М. А. Маркинаab, А. М. Чекушкинa, М. А. Тарасовa, М. Ю. Фоминскийa, Т. Д. Пацаевc, А. Л. Васильевc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 109028 Москва, Россия
c Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 59119333 Москва, Россия
PDF полного текста (1812 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.07.58343.169-24
Аннотация: Представлены разработка, изготовление и исследование структур на основе туннельных переходов нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Произведен анализ морфологии трехслойной структуры Al/AlO$_x$/Nb методами просвечивающей электронной микроскопии, просвечивающей растровой электронной микроскопии и электронной дифракции. Для формирования туннельных переходов использована технология Selective Niobium Etching and Anodization Process. Достигнут параметр качества изготовленных структур – отношение $R_d/R_n$($V$ = 0)= 53 при температуре 2.8 K, теоретически ожидаемое значение составляет 54. Разработан дизайн структур из последовательно-параллельного электрического соединения пар туннельных контактов. Изготовлены интегральные структуры термометров, $dR/dT$ которых в 2.5, 5 и 12.5 раз больше, чем одиночного туннельного перехода.
Ключевые слова: туннельный переход, нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (НИС), цепочки НИС контактов, SNEAP (от англ. “Selective Niobium Etching and Anodization Process”), плазмохимическое травление, просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-79-10262
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2024-538
Изготовление тестовых образцов и экспериментальные измерения выполнены при поддержке гранта РНФ № 23-79-10262 (https://rscf.ru/en/project/23-79-10262/). Исследование морфологии изготовленных структур выполнено при поддержке проекта Министерства науки и высшего образования РФ (соглашение № 075-15-2024-538).
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Маркина, А. М. Чекушкин, М. А. Тарасов, М. Ю. Фоминский, Т. Д. Пацаев, А. Л. Васильев, “Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlO$_x$/Nb”, ЖТФ, 94:7 (2024), 1079–1086
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarCheTar24}
\by М.~А.~Маркина, А.~М.~Чекушкин, М.~А.~Тарасов, М.~Ю.~Фоминский, Т.~Д.~Пацаев, А.~Л.~Васильев
\paper Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlO$_x$/Nb
\jour ЖТФ
\yr 2024
\vol 94
\issue 7
\pages 1079--1086
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6809}
\crossref{https://doi.org/10.61011/JTF.2024.07.58343.169-24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=72709688}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6809
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i7/p1079
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024