Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

Методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света изучены слои AlN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформированы симметричная V-образная наноструктура с размером элементов < 100 nm (подложка NP-Si(100)) и буферный слой AlN, полученный методом реактивного магнетронного напыления. Показано, что в процессе образования буферного слоя на начальной стадии роста осуществляется переход из симметричного состояния структурированной подложки в асимметричное состояние слоя. Обнаружено, что буферный слой, выращенный методом магнетронного напыления, находится в состоянии сжатия, а слой, выращенный методом газофазной эпитаксии, имеет меньшую величину растяжения, чем слой AlN, полученный непосредственно на NP-Si(100)-подложке. Сделано предположение, что такие текстурные буферные слои после магнетронного напыления содержат гексагональную и кубическую фазы AlN.