Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 6, страницы 888–893
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58130.47-24 (Mi jtf6788) 		 
Твердотельная электроника

Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, А. А. Блохин, М. В. Нахимович, Н. Д. Ильинская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (855 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58130.47-24
Аннотация: Выполнены исследования в области постростовой технологии изготовления инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Исследованы различные методы текстурирования и просветления световыводящей поверхности диодов, разработана технология формирования оптических элементов. Проведен анализ взаимосвязи технологии формирования чипов и фотоэлектрических параметров светоизлучающих диодов: интенсивности электролюминесценции, оптической мощности и внешней квантовой эффективности. В результате применения проведенных разработок достигнуто двукратное увеличение оптической мощности диодов, которая составила > 400 mW при токе 800 mА.
Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, текстурирование, просветляющее покрытие, оптический элемент.
Поступила в редакцию: 22.02.2024
Исправленный вариант: 05.04.2024
Принята в печать: 10.04.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, А. А. Блохин, М. В. Нахимович, Н. Д. Ильинская, “Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов”, ЖТФ, 94:6 (2024), 888–893
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKalMal24}
\by А.~В.~Малевская, Н.~А.~Калюжный, Д.~А.~Малевский, А.~А.~Блохин, М.~В.~Нахимович, Н.~Д.~Ильинская
\paper Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
\jour ЖТФ
\yr 2024
\vol 94
\issue 6
\pages 888--893
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6788}
\crossref{https://doi.org/10.61011/JTF.2024.06.58130.47-24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=68632756}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6788
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i6/p888
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024