|
Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 2, статья опубликована в англоязычной версии журнала
(Mi jtf6674)
|
|
|
|
Статьи, опубликованные в английской версии журнала
Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
G. G. Zegryaa, V. P. Ulina, A. G. Zegryaa, N. V. Ulina, V. M. Fraimana, Yu. M. Mikhailovb a Ioffe Institute, 194021, St. Petersburg, Russia
b Institute of Problems of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region
Образец цитирования:
G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6674
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 11 |
|