Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 2, статья опубликована в англоязычной версии журнала (Mi jtf6674)  
Статьи, опубликованные в английской версии журнала

Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions

G. G. Zegryaa, V. P. Ulina, A. G. Zegryaa, N. V. Ulina, V. M. Fraimana, Yu. M. Mikhailovb

a Ioffe Institute, 194021, St. Petersburg, Russia
b Institute of Problems of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region
PDF полного текста (23 kB)
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 2, Pages 367
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378422102016X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Письмо в редакцию, исправление
Язык публикации: английский
Образец цитирования: G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367
Цитирование в формате AMSBIB
\Bibitem{ZegUliZeg21}
\by G.~G.~Zegrya, V.~P.~Ulin, A.~G.~Zegrya, N.~V.~Ulin, V.~M.~Fraiman, Yu.~M.~Mikhailov
\paper Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 2
\pages 367
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6674}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378422102016X}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85105872926}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6674
    Исправление к статье
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024