|
Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 2, страницы 59–64
(Mi jtf6631)
|
|
|
|
Физическое материаловедение
Осаждение сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления
К. В. Оскомовa, А. Н. Захаровa, С. В. Работкинa, А. А. Соловьевb a Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
b Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Аннотация:
Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10–100 $\mu$s, частота повторения импульсов 20–2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 $\mu$s) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (10$^{13}$ cm$^{-3}$) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала.
Поступила в редакцию: 12.02.2015
Образец цитирования:
К. В. Оскомов, А. Н. Захаров, С. В. Работкин, А. А. Соловьев, “Осаждение сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления”, ЖТФ, 86:2 (2016), 59–64; Tech. Phys., 61:2 (2016), 215–220
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6631 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i2/p59
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 18 |
|