Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 2, страницы 59–64 (Mi jtf6631)  

Физическое материаловедение

Осаждение сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления

К. В. Оскомовa, А. Н. Захаровa, С. В. Работкинa, А. А. Соловьевb

a Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
b Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Аннотация: Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10–100 $\mu$s, частота повторения импульсов 20–2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 $\mu$s) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (10$^{13}$ cm$^{-3}$) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала.
Поступила в редакцию: 12.02.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2016, Volume 61, Issue 2, Pages 215–220
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216020171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Оскомов, А. Н. Захаров, С. В. Работкин, А. А. Соловьев, “Осаждение сверхтвердых Ti–Si–N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления”, ЖТФ, 86:2 (2016), 59–64; Tech. Phys., 61:2 (2016), 215–220
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OskZakRab16}
\by К.~В.~Оскомов, А.~Н.~Захаров, С.~В.~Работкин, А.~А.~Соловьев
\paper Осаждение сверхтвердых Ti--Si--N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления
\jour ЖТФ
\yr 2016
\vol 86
\issue 2
\pages 59--64
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6631}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669200}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2016
\vol 61
\issue 2
\pages 215--220
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784216020171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6631
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i2/p59
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024