Сравнительный анализ механизмов пробоя тонких окислов SiO$_{2}$ в структурах металл–окисел–полупроводник при воздействии тяжелых заряженных частиц и импульсного электрического напряжения

Проведены экспериментальные исследования закономерностей пробоя тонких окислов SiO$_{2}$ в структурах металл–окисел–полупроводник мощных полевых транзисторов при воздействии одиночных тяжелых заряженных частиц и импульсного электрического напряжения. В рамках феноменологического подхода выполнен сравнительный анализ физических механизмов, а также энергетических критериев пробоя SiO$_{2}$ при предельных уровнях возбуждения электронной подсистемы за времена в субпикосекундном диапазоне.