Формирование текстурированных пленок Ni(200) и Ni(111) методом магнетронного распыления

Исследовано влияние давления рабочего газа $P\approx$ 1.33–0.09 Pa и температуры подложки $T_{s}\approx$ 77–550 K на текстуру и микроструктуру пленок никеля, получаемых магнетронным распылением на подложках SiO$_{2}$/Si. Показано, что при ростовых параметрах $P\approx$ 0.13–0.09 Pa и $T_{s}\approx$ 300–550 K, обеспечивающих высокую миграционную способность адатомов никеля на подложке, формируются пленки Ni(200) с переходным типом микроструктуры, для которого характерно изменение структуры от квазиоднородной к квазистолбчатой при достижении пленкой критической толщины. В условиях низкой миграционной способности, которая реализуется при $P\approx$ 1.33–0.3 Pa или за счет охлаждения подложки до $T_{s}\approx$ 77 K, формируются пленки Ni(111) со столбчатой микроструктурой и высокой пористостью.