|
Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 10, страницы 149–152
(Mi jtf6433)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Индуцированная подложкой запрещенная щель в спектре эпитаксиального бислоя графена
З. З. Алисултановabc a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
Аннотация:
Показано, в что спектре двуслойного графена, сформированного на поверхности полупроводника, возможно открытие запрещенной зоны. Сделаны оценки величины щели для различных политипов SiC. Предсказанный эффект имеет важное значение для практического использования графена.
Поступила в редакцию: 02.02.2016
Образец цитирования:
З. З. Алисултанов, “Индуцированная подложкой запрещенная щель в спектре эпитаксиального бислоя графена”, ЖТФ, 86:10 (2016), 149–152; Tech. Phys., 61:10 (2016), 1591–1594
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6433 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i10/p149
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 16 |
|