Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 4, страницы 578–583
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.04.44319.2044
(Mi jtf6264)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Дефектная структура эпитаксиальных слоев III-нитридов на основе анализа формы рентгенодифракционных пиков

Р. Т. Кютт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования формы рентгенодифракционных эпитаксиальных слоев с большой плотностью дислокаций. Измерения проводились на рентгеновском дифрактометре в двух- и трехкристальном вариантах с использованием как CuK$\alpha$-, так и MoK$\alpha$-излучения. Объектами исследования были эпитаксиальные слои GaN, AlN, AlGaN, ZnO и др., выращенные разными методами на подложках сапфира, кремния и карбида кремния и имеющие разную степень структурного совершенства. Толщина слоев варьировала для разных систем от 0.5 до 30 $\mu$m. Показано, что в центральной части пиков они хорошо аппроксимируются функцией Войта с различной долей лоренцовской составляющей, а на крыльях интенсивность спадает быстрее и может быть выражена степенной функцией, при этом показатель не одинаков для разных структур. Имеет место явная зависимость от упорядоченности дислокаций. Для большинства структур с регулярной системой и регулярными прорастающими дислокациями падение интенсивности близко к теоретически предсказанному закону $\Delta\theta^{-3}$, для пленок с хаотическим распределением оно значительно быстрее. Рассмотрена также связь формы пиков от порядка отражения, геометрии дифракции, толщины эпитаксиальных слоев.
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 4, Pages 598–603
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217040144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Т. Кютт, “Дефектная структура эпитаксиальных слоев III-нитридов на основе анализа формы рентгенодифракционных пиков”, ЖТФ, 87:4 (2017), 578–583; Tech. Phys., 62:4 (2017), 598–603
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kyu17}
\by Р.~Т.~Кютт
\paper Дефектная структура эпитаксиальных слоев III-нитридов на основе анализа формы рентгенодифракционных пиков
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 4
\pages 578--583
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6264}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.04.44319.2044}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29070354}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 4
\pages 598--603
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217040144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6264
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i4/p578
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024