Резистивные состояния композитных сверхпроводников при крипе магнитного потока

Изучено влияние крипа магнитного потока на формирование резистивных состояний композитных сверхпроводников с учетом их саморазогрева. Полученные результаты сопоставлены с расчетами, выполненными в рамках существующей теории тепловой стабилизации, основанной на модели скачкообразного перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное. Показано, что в широком диапазоне изменения температуры сверхпроводника эта модель приводит к завышенным значениям эффективного электрического сопротивления композита. Как следствие его стабильного саморазогрева, используемые в существующей теории тепловой стабилизации понятия о критическом токе, определяющем максимально допустимое значение транспортного тока, и о температуре резистивного перехода, после превышения которой транспортный ток начинает делиться между сверхпроводником и матрицей, при крипе магнитного потока теряют физический смысл. В результате границы теории тепловой стабилизации композитных сверхпроводников могут быть расширены, если ее использовать для описания устойчивых состояний при токах, которые выше условно заданного значения критического тока композита.