|
Физические приборы и методы эксперимента
Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (10$^{19}$–10$^{21}$ cm$^{-2}$) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001]Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200–1400$^\circ$C. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Образец цитирования:
Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк, “Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106; Tech. Phys., 62:7 (2017), 1119–1121
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6193 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i7/p1104
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 25 | PDF полного текста: | 8 |
|