Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 7, страницы 1104–1106
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.07.44686.2130 (Mi jtf6193) 		 
Физические приборы и методы эксперимента

Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН

Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (147 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.07.44686.2130
Аннотация: Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (10$^{19}$–10$^{21}$ cm$^{-2}$) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001]Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200–1400$^\circ$C. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 7, Pages 1119–1121
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217070143
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк, “Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106; Tech. Phys., 62:7 (2017), 1119–1121
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MokKazSol17}
\by Е.~Н.~Мохов, О.~П.~Казарова, В.~А.~Солтамов, С.~С.~Нагалюк
\paper Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 7
\pages 1104--1106
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6193}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.07.44686.2130}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29730233}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 7
\pages 1119--1121
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217070143}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6193
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i7/p1104
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024