|
Твердотельная электроника
Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
Д. В. Лебедевa, А. М. Минтаировab, А. С. Власовa, В. Ю. Давыдовa, М. М. Кулагинаa, С. И. Трошковa, А. А. Богдановac, А. Н. Смирновa, A. Gocalinskad, G. Juskad, E. Pelucchid, J. Kapaldob, S. Rouvimovb, J. Merzb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b University of Notre Dame, Notre Dame, USA
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Tyndall National Institute, Cork, Ireland
Аннотация:
Исследованы излучающие свойства ненапряженных квантово-размерных наноструктур InP/AlInAs и лазерная генерация этих наноструктур в микродисковых резонаторах, сформированных мокрым травлением. Для исходных структур было обнаружено, что их излучение обусловлено квантово-размерными InP-островками с диаметром 50–300 nm. Для микродисков мы наблюдали моды шепчущей галереи при температурах ниже 160 K. Эксперименты по измерению зависимости интенсивности фотолюминесценции мод микрорезонатора от мощности накачки, проведенные при температуре жидкого гелия, позволили установить величину порога лазерной генерации, который составил 50 W/cm$^{2}$. Полуширина лазерной линии при мощностях, превышающих пороговые, составляла 0.06 nm, что соответствует добротности 15000.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Образец цитирования:
Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1066–1070; Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6187 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i7/p1066
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 7 |
|